(812)
600-10-25
Адрес:
СПб, м. Ладожская, Уткин пр., 11, корп. 2
Пн-Сб: 11:00-20:00, Вс: выходной
383-302-841
612-279-649
383-302-841
612-279-649
Сортировать по:
Оперативная память для ноутбуков
Оперативная память для ноутбуков SODIMM DDR2 4096Mb, 800Mhz, PC6400 - 4990 руб.
Оперативная память для ноутбуков
Оперативная память для ноутбуков SODIMM DDR2 2048Mb, 800Mhz, PC6400 - 1550 руб.
Оперативная память для ноутбуков
Оперативная память для ноутбуков SODIMM DDR3 1024Mb, 1066Mhz, PC3-8500 HYNIX - 760 руб.
Оперативная память для ноутбуков
Оперативная память для ноутбуков SODIMM DDR2 512Mb, 667Mhz, PC5300 - 300 руб.
Оперативная память для ноутбуков
Оперативная память для ноутбуков SODIMM DDR2 256Mb, 667Mhz, PC5300 - 200 руб.
SRAM (Static RAM)
ОЗУ, собранное натриггерах, называетсястатической памятью с произвольным доступомили простостатической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны навентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группатранзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если онивытравляютсямиллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.
DRAM (Dynamic RAM)
Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (битаилитрита) используется схема, состоящая из одногоконденсатораи одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.
